IPT029N08N5ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.33 EUR |
| 500+ | 4.47 EUR |
| 1000+ | 4.15 EUR |
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Technische Details IPT029N08N5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 169A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 167W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.
Weitere Produktangebote IPT029N08N5ATMA1 nach Preis ab 2.75 EUR bis 11.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPT029N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT029N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT029N08N5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs MV POWER MOS |
auf Bestellung 2159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT029N08N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
auf Bestellung 1593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT029N08N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 23+ | 7.68 EUR |
| 33+ | 5.28 EUR |
| 100+ | 3.87 EUR |
| 500+ | 3.46 EUR |
| 1000+ | 3.28 EUR |
| 2000+ | 2.96 EUR |
| IPT029N08N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 7.94 EUR |
| 32+ | 5.34 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 3.39 EUR |
| 1000+ | 3.13 EUR |
| 2000+ | 2.75 EUR |
| IPT029N08N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MV POWER MOS
MOSFETs MV POWER MOS
auf Bestellung 2159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.57 EUR |
| 10+ | 5.71 EUR |
| 25+ | 5.7 EUR |
| 100+ | 4.06 EUR |
| 500+ | 3.37 EUR |
| 1000+ | 3.36 EUR |
| IPT029N08N5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 80V
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 2900 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 1593 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 23+ | 11.02 EUR |
| 50+ | 6.75 EUR |
| 100+ | 5.33 EUR |
| 500+ | 4.47 EUR |
| 1000+ | 4.15 EUR |


