IPT030N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPT030N12N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 237A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPT030N12N3GATMA1 nach Preis ab 4.77 EUR bis 11.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPT030N12N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IPT030N12N3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 3834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT030N12N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1441 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IPT030N12N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V |
auf Bestellung 4868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IPT030N12N3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.93 EUR |
| 500+ | 4.87 EUR |
| 1000+ | 4.8 EUR |
| IPT030N12N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.28 EUR |
| 10+ | 7.75 EUR |
| 25+ | 7.14 EUR |
| 100+ | 5.62 EUR |
| 250+ | 5.59 EUR |
| 1000+ | 5.46 EUR |
| 2000+ | 4.77 EUR |
| IPT030N12N3GATMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 2500 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 10.59 EUR |
| 32+ | 7.33 EUR |
| 100+ | 4.93 EUR |
| 500+ | 4.87 EUR |
| 1000+ | 4.8 EUR |
| IPT030N12N3GATMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V
auf Bestellung 4868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.79 EUR |
| 10+ | 7.91 EUR |
| 100+ | 5.72 EUR |
| 500+ | 5.32 EUR |