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IPT034N15NM6ATMA1

IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipt034n15nm6datasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Technische Details IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 194A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt034n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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46+3.53 EUR
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IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt034n15nm6datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 22A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPT034N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f95a304b134b Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1941 Stücke:
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IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt034n15nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
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3+9.13 EUR
10+6.07 EUR
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IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipt034n15nm6_datasheet_en.pdf MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
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IPT034N15NM6ATMA1 IPT034N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPT034N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f95a304b134b Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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25+10.17 EUR
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AnzahlPrivatkunde
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250+2.75 EUR
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1000+2.17 EUR
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46+3.67 EUR
100+3.03 EUR
250+2.98 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.46 EUR
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IPT034N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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100+5.51 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.2 EUR
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Description: TRENCH >=100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
auf Bestellung 1508 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.13 EUR
10+6.07 EUR
100+4.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
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10+6.47 EUR
100+4.61 EUR
500+4.11 EUR
2000+3.83 EUR
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IPT034N15NM6ATMA1 Infineon-IPT034N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f95a304b134b
IPT034N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT034N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 194 A, 3200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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25+10.17 EUR
32+7.4 EUR
100+5.51 EUR
500+4.9 EUR
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