IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.
Weitere Produktangebote IPT044N15N5ATMA1 nach Preis ab 3.97 EUR bis 14.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R |
auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R |
auf Bestellung 603 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
auf Bestellung 2381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V |
auf Bestellung 2445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm |
auf Bestellung 1237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT044N15N5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm |
auf Bestellung 1237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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|---|---|
| 2000+ | 3.97 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
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|---|---|
| 2000+ | 4.75 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 4.91 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 5.94 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 5.94 EUR |
| 500+ | 5.55 EUR |
| 1000+ | 5.13 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 113+ | 5.94 EUR |
| 500+ | 5.55 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 7.04 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.59 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 9.59 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.04 EUR |
| 10+ | 8.73 EUR |
| 100+ | 7.02 EUR |
| 500+ | 6.24 EUR |
| 1000+ | 5.9 EUR |
| 2000+ | 5.51 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 13.04 EUR |
| 10+ | 8.79 EUR |
| 50+ | 6.96 EUR |
| 100+ | 6.38 EUR |
| 500+ | 6.02 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.38 EUR |
| 50+ | 7.08 EUR |
| 100+ | 5.97 EUR |
| 500+ | 5.55 EUR |
| 1000+ | 5.25 EUR |
| IPT044N15N5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.38 EUR |
| 50+ | 7.08 EUR |
| 100+ | 5.97 EUR |
| 500+ | 5.55 EUR |
| 1000+ | 5.25 EUR |