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IPT044N15N5ATMA1

IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

infineonirfp1405datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
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Technische Details IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonirfp1405datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 INFINEON 3668059.pdf Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 INFINEON 3668059.pdf Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1268 Stücke:
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21+12.2 EUR
50+7.57 EUR
100+5.65 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.5 EUR
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IPT044N15N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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auf Bestellung 430 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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auf Bestellung 2452 Stücke:
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124+5.28 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.57 EUR
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auf Bestellung 603 Stücke:
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500+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IPT044N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+5.65 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.5 EUR
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Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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19+9.38 EUR
27+6.41 EUR
50+5.89 EUR
100+4.49 EUR
500+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 19.4A 9-Pin(8+Tab) HSOF EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+9.7 EUR
26+6.49 EUR
50+5.87 EUR
100+4.39 EUR
500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 3872 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+11.9 EUR
10+8 EUR
100+5.78 EUR
500+5.37 EUR
1000+5.09 EUR
2000+4.55 EUR
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IPT044N15N5ATMA1 infineon-ipt044n15n5-datasheet-en.pdf
IPT044N15N5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2558 Stücke:
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2+12.1 EUR
10+8.13 EUR
50+6.41 EUR
100+5.87 EUR
500+5.45 EUR
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Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 1268 Stücke:
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50+7.57 EUR
100+5.65 EUR
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