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IPT044N15N5ATMA1

IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb22898a6c9f Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 2000
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Technische Details IPT044N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 174A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPT044N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb22898a6c9f Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPT044N15N5_DataSheet_v02_02_EN-3362749.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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10+6.65 EUR
100+5.23 EUR
500+4.47 EUR
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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON 3668059.pdf Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1883 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPT044N15N5ATMA1 IPT044N15N5ATMA1 Hersteller : INFINEON 3668059.pdf Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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