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IPT054N15N5ATMA1

IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies

infineonirfp140ndatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 3953 Stücke:
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Technische Details IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 143A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies infineonirfp140ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 INFINEON 3668060.pdf Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 348 Stücke:
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IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT054N15N5_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 2640 Stücke:
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IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1261 Stücke:
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2+11.9 EUR
10+7.97 EUR
50+6.3 EUR
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IPT054N15N5ATMA1 IPT054N15N5ATMA1 INFINEON 3668060.pdf Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 143A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 348 Stücke:
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IPT054N15N5ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT054N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
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10+6.2 EUR
100+5.65 EUR
500+5.24 EUR
1000+5.05 EUR
2000+4.96 EUR
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IPT054N15N5ATMA1
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Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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IPT054N15N5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT054N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 143 A, 4600 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
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MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: OptiMOS 5 Series
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+13.97 EUR
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