IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPT059N15N3ATMA1 nach Preis ab 6.32 EUR bis 16.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 110A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPT059N15N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 110A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 69nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
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