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IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

Name: IPT059N15N3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 36345587-5
Price: 5660.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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Technische Details IPT059N15N3ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPT059N15N3ATMA1 nach Preis ab 3 EUR bis 7.29 EUR

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

IPT059N15N3+G_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304326623792012669f6bee2224b&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e62778d0185

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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500+	3.66 EUR
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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT059N15N3ATMA1

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Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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23+	6.52 EUR
26+	5.57 EUR
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500+	3.74 EUR
1000+	3.09 EUR

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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22+	6.67 EUR
26+	5.4 EUR
100+	4.08 EUR
500+	3.64 EUR
1000+	3.1 EUR

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IPT059N15N3ATMA1

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Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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21+	7.02 EUR
25+	5.6 EUR

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH >=100V

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1+	7.18 EUR
10+	5.83 EUR
100+	4.61 EUR
500+	4.35 EUR
1000+	3.73 EUR
2000+	3.57 EUR

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

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3+	7.29 EUR
10+	5.93 EUR
100+	4.51 EUR
500+	4.24 EUR

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

204642865959273dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e9d5d1.pdf

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 5000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT059N15N3ATMA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC97DF0F24411C&compId=IPT059N15N3-DTE.pdf?ci_sign=66cd6e0cfb8b27ca5ca43a5281c03ffd44ab639a

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

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