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IPT067N20NM6ATMA1

IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Technische Details IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPT067N20NM6ATMA1 nach Preis ab 5.71 EUR bis 22.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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2000+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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auf Bestellung 9915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+8.1 EUR
100+7.59 EUR
500+7.04 EUR
1000+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.22 EUR
23+7.47 EUR
50+5.97 EUR
200+5.82 EUR
500+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.73 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.28 EUR
10+9.66 EUR
100+7.04 EUR
500+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT067N20NM6-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.77 EUR
10+10.75 EUR
100+7.9 EUR
500+7.79 EUR
1000+7.27 EUR
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.02 EUR
14+17.4 EUR
17+13.26 EUR
50+11.73 EUR
100+10.2 EUR
250+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Dauer-Drainstrom Id: 137A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.02 EUR
14+17.4 EUR
17+13.26 EUR
50+11.73 EUR
100+10.2 EUR
250+9.98 EUR
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
81+8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 9915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+8.1 EUR
100+7.59 EUR
500+7.04 EUR
1000+6.5 EUR
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Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.22 EUR
23+7.47 EUR
50+5.97 EUR
200+5.82 EUR
500+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.73 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
auf Bestellung 5835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.28 EUR
10+9.66 EUR
100+7.04 EUR
500+6.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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auf Bestellung 3864 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+15.77 EUR
10+10.75 EUR
100+7.9 EUR
500+7.79 EUR
1000+7.27 EUR
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.02 EUR
14+17.4 EUR
17+13.26 EUR
50+11.73 EUR
100+10.2 EUR
250+9.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+22.02 EUR
14+17.4 EUR
17+13.26 EUR
50+11.73 EUR
100+10.2 EUR
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