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IPT067N20NM6ATMA1

IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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Technische Details IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 137A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineonipt067n20nm6datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
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100+6.5 EUR
500+6.02 EUR
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27+6.35 EUR
30+5.51 EUR
100+5.26 EUR
250+5.02 EUR
500+4.78 EUR
1000+4.55 EUR
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27+6.5 EUR
30+5.72 EUR
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1000+5.16 EUR
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14+13.01 EUR
20+8.83 EUR
50+6.84 EUR
100+6.18 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT067N20NM6-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 4724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.01 EUR
10+9.48 EUR
100+6.91 EUR
500+6.66 EUR
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt067n20nm6-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
auf Bestellung 13511 Stücke:
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2+14.24 EUR
10+9.64 EUR
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100+7.02 EUR
500+6.77 EUR
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1 IPT067N20NM6ATMA1 INFINEON 4148566.pdf Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 22000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
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Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 5715 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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100+6.5 EUR
500+6.02 EUR
1000+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+7.57 EUR
27+6.35 EUR
30+5.51 EUR
100+5.26 EUR
250+5.02 EUR
500+4.78 EUR
1000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+7.57 EUR
27+6.5 EUR
30+5.72 EUR
100+5.56 EUR
250+5.44 EUR
500+5.32 EUR
1000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+13.01 EUR
20+9.02 EUR
50+7.1 EUR
100+6.52 EUR
500+6.21 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.3A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
auf Bestellung 787 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+13.01 EUR
20+8.83 EUR
50+6.84 EUR
100+6.18 EUR
500+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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MOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 4724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.01 EUR
10+9.48 EUR
100+6.91 EUR
500+6.66 EUR
2000+6.22 EUR
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IPT067N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
auf Bestellung 13511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.24 EUR
10+9.64 EUR
50+7.66 EUR
100+7.02 EUR
500+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT067N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 137 A, 6200 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 2341 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.54 EUR
17+14.09 EUR
20+10.95 EUR
50+10.2 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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