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IPT60R037CM8XTMA1

IPT60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT60R037CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9c7949012a6c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+5.69 EUR
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Technische Details IPT60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT60R037CM8XTMA1 IPT60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R037CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9c7949012a6c Description: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
auf Bestellung 2543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
10+9.15 EUR
100+6.96 EUR
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IPT60R037CM8XTMA1 IPT60R037CM8XTMA1 INFINEON 4379501.pdf Description: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.32 EUR
20+11.95 EUR
100+8.91 EUR
500+7.93 EUR
1000+7.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT60R037CM8XTMA1 IPT60R037CM8XTMA1 INFINEON 4379501.pdf Description: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
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Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1651 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.32 EUR
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100+8.91 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPT60R037CM8XTMA1 IPT60R037CM8XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT60R037CM8_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
auf Bestellung 2644 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.33 EUR
10+11.85 EUR
100+8.84 EUR
500+8.77 EUR
1000+8.16 EUR
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IPT60R037CM8XTMA1 Infineon-IPT60R037CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9c7949012a6c
IPT60R037CM8XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPT60R037CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Description: INFINEON - IPT60R037CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 70 A, 0.037 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
auf Bestellung 2644 Stücke:
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1+17.33 EUR
10+11.85 EUR
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