IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies
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| 17+ | 9.03 EUR |
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Technische Details IPT60R055CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 236W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236W, Bauform - Transistor: HSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPT60R055CFD7XTMA1 nach Preis ab 4.84 EUR bis 11.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPT60R055CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOFPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V |
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IPT60R055CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
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IPT60R055CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 236W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPT60R055CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 236W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 236W Bauform - Transistor: HSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT60R055CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPT60R055CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N Channel Power Mosfet |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT60R055CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT60R055CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 236W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V |
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