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IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPT60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d9c94b60a2aca
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPT60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
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Technische Details IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 119W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT60R180CM8XTMA1 IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies infineon_ipt60r180cm8_datasheet_en.pdf MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
auf Bestellung 1485 Stücke:
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1+5.26 EUR
10+2.89 EUR
100+2.51 EUR
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IPT60R180CM8XTMA1 IPT60R180CM8XTMA1 INFINEON 4379502.pdf Description: INFINEON - IPT60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
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39+6.47 EUR
71+3.3 EUR
100+2.65 EUR
500+2.23 EUR
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IPT60R180CM8XTMA1 infineon_ipt60r180cm8_datasheet_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
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