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IPT60T040S7XTMA1

IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT60T040S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b4c4745b27ae8
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+13.26 EUR
10+9.38 EUR
100+7.03 EUR
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Technische Details IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 245W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT60T040S7XTMA1 IPT60T040S7XTMA1 INFINEON 4013789.pdf Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.37 EUR
18+13.34 EUR
100+9.94 EUR
500+8.68 EUR
1000+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IPT60T040S7XTMA1 IPT60T040S7XTMA1 INFINEON 4013789.pdf Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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18+13.34 EUR
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IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT60T040S7_DataSheet_v02_01_EN-3369337.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.98 EUR
10+14.55 EUR
25+13.2 EUR
100+12.1 EUR
250+11.41 EUR
500+10.7 EUR
1000+9.62 EUR
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IPT60T040S7XTMA1 4013789.pdf
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 12V
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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25+13.2 EUR
100+12.1 EUR
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