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IPT65R060CFD7XTMA1

IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IPT65R060CFD7_DataSheet_v02_01_EN-3107399.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET
auf Bestellung 19 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+12.54 EUR
10+10.75 EUR
25+9.73 EUR
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Technische Details IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT65R060CFD7XTMA1 IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT65R060CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d10f13546c Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.57 EUR
10+9.22 EUR
100+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPT65R060CFD7XTMA1 IPT65R060CFD7XTMA1 INFINEON 3968269.pdf Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.54 EUR
23+10.53 EUR
100+7.18 EUR
500+7.01 EUR
1000+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R060CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb347018678d10f13546c
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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