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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 10.54 EUR |
| 10+ | 9.03 EUR |
| 25+ | 8.18 EUR |
| 100+ | 7.53 EUR |
| 250+ | 7.09 EUR |
| 500+ | 6.65 EUR |
| 1000+ | 5.97 EUR |
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Technische Details IPT65R060CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPT65R060CFD7XTMA1 nach Preis ab 5.73 EUR bis 11.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IPT65R060CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: HIGH POWER_NEWPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
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IPT65R060CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPT65R060CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R060CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT65R060CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |