IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 2.52 EUR |
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Technische Details IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPT65R125CFD7XTMA1 nach Preis ab 2.92 EUR bis 7.29 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IPT65R125CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT65R125CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPT65R125CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT65R125CFD7XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R125CFD7XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005537610 |
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