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IPT65R125CFD7XTMA1

IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm.

Weitere Produktangebote IPT65R125CFD7XTMA1 nach Preis ab 3.05 EUR bis 9.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0 Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 140W
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
auf Bestellung 1965 Stücke:
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IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0 Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPT65R125CFD7_DataSheet_v02_00_EN-3107391.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 23A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
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IPT65R125CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
IPT65R125CFD7XTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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250+4.32 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.47 EUR
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IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
IPT65R125CFD7XTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 23A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
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40+5.81 EUR
100+3.77 EUR
500+3.08 EUR
1000+3.05 EUR
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