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Technische Details IPTC012N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 396A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPTC012N08NM5ATMA1 nach Preis ab 7.46 EUR bis 14.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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IPTC012N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
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IPTC012N08NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 396A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPTC012N08NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 0.001 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 396A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPTC012N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005447133 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPTC012N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT package for higher thermal cycling on board performance |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPTC012N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT package for higher thermal cycling on board performance |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPTC012N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
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