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IPTC014N10NM5ATMA1

IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+4.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
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Technische Details IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 1400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPTC014N10NM5ATMA1 nach Preis ab 5.21 EUR bis 13.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 INFINEON Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439 Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 1400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.76 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptc014n10nm5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.03 EUR
50+7.27 EUR
200+5.4 EUR
500+5.21 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439 Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 7649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.82 EUR
10+7.9 EUR
100+5.69 EUR
500+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPTC014N10NM5ATMA1 IPTC014N10NM5ATMA1 INFINEON Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439 Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 1400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.92 EUR
50+8.65 EUR
100+5.76 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptc014n10nm5-datasheet-en.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 37 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16000 @ 50, Qg, нКл = 211, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerSOP-16 Очікується: 630 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439
IPTC014N10NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 1400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Trans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R
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200+5.4 EUR
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IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439
IPTC014N10NM5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 7649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.82 EUR
10+7.9 EUR
100+5.69 EUR
500+5.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon-IPTC014N10NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183e99b37b47439
IPTC014N10NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 1400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 514 Stücke:
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18+13.92 EUR
50+8.65 EUR
100+5.76 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 37 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16000 @ 50, Qg, нКл = 211, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerSOP-16 Очікується: 630 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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