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IPTC068N20NM6ATMA1

IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTC068N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da9150613e
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPTC068N20NM6ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
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Technische Details IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 319W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTC068N20NM6ATMA1 IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies infineoniptc068n20nm6datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1161 Stücke:
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86+7.63 EUR
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IPTC068N20NM6ATMA1 IPTC068N20NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_04-04-2025_DS_IPTC068N20NM6_2_0.pdf MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
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2+15.35 EUR
10+10.42 EUR
50+8.32 EUR
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IPTC068N20NM6ATMA1 IPTC068N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPTC068N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da9150613e Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+19.04 EUR
16+15.09 EUR
19+11.51 EUR
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100+10.13 EUR
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IPTC068N20NM6ATMA1 IPTC068N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPTC068N20NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626da9150613e Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+19.04 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 16-Pin HDSOP EP T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
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IPTC068N20NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPTC068N20NM6ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 140A (Tc)
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Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U04
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2+15.35 EUR
10+10.42 EUR
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100+7.64 EUR
500+7.47 EUR
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IPTC068N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
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auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+19.04 EUR
16+15.09 EUR
19+11.51 EUR
50+10.82 EUR
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IPTC068N20NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 6250 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Dauer-Drainstrom Id: 140A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6250µohm
auf Bestellung 2031 Stücke:
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