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IPTG007N06NM5ATMA1

IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTG007N06NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3630457d4e
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 454A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00068ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPTG007N06NM5ATMA1 nach Preis ab 6.06 EUR bis 16.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTG007N06NM5ATMA1 IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptg007n06nm5-datasheet-v02_01-en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
auf Bestellung 46800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPTG007N06NM5ATMA1 IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG007N06NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 5038 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.73 EUR
10+8.52 EUR
100+7.08 EUR
500+6.76 EUR
1000+6.06 EUR
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IPTG007N06NM5ATMA1 IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG007N06NM5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3630457d4e Description: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+8.59 EUR
100+7.03 EUR
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IPTG007N06NM5ATMA1 IPTG007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptg007n06nm5-datasheet-v02_01-en.pdf OptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.22 EUR
18+10.07 EUR
50+8.91 EUR
100+8.26 EUR
200+7.74 EUR
500+7.18 EUR
1000+6.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IPTG007N06NM5ATMA1 IPTG007N06NM5ATMA1 INFINEON 3328483.pdf Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.9 EUR
22+10.95 EUR
100+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPTG007N06NM5ATMA1 IPTG007N06NM5ATMA1 INFINEON 3328483.pdf Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
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Produktpalette: OptiMOS 5
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 454A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V
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IPTG007N06NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HSOG
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 221 Stücke:
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22+10.95 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00068 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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