Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTG011N08NM5ATMA1
IPTG011N08NM5ATMA1

IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTG011N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa3f5c9e7d54
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 42A/408A HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.14 EUR
10+6.76 EUR
100+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 408A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPTG011N08NM5ATMA1 nach Preis ab 4.61 EUR bis 18.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTG011N08NM5ATMA1 IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTG011N08NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.92 EUR
10+8.65 EUR
100+5.34 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG011N08NM5ATMA1 IPTG011N08NM5ATMA1 INFINEON 3328484.pdf Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.15 EUR
18+13.19 EUR
100+9.62 EUR
500+9.56 EUR
1000+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG011N08NM5ATMA1 IPTG011N08NM5ATMA1 INFINEON 3328484.pdf Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.15 EUR
18+13.19 EUR
100+9.62 EUR
500+9.56 EUR
1000+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon_IPTG011N08NM5_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPTG011N08NM5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.92 EUR
10+8.65 EUR
100+5.34 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG011N08NM5ATMA1 3328484.pdf
IPTG011N08NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.15 EUR
18+13.19 EUR
100+9.62 EUR
500+9.56 EUR
1000+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG011N08NM5ATMA1 3328484.pdf
IPTG011N08NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 0.001 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.15 EUR
18+13.19 EUR
100+9.62 EUR
500+9.56 EUR
1000+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH