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Technische Details IPTG020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, Dauer-Drainstrom Id: 297A, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IPTG020N13NM6ATMA1 nach Preis ab 6.93 EUR bis 11.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IPTG020N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100VPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V |
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IPTG020N13NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 135V Dauer-Drainstrom Id: 297A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IPTG020N13NM6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 0.00195 ohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPTG020N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
TRENCH >=100V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPTG020N13NM6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V |
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