Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTG025N15NM6ATMA1
IPTG025N15NM6ATMA1

IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTG025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740e75a702d
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 264A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 395W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.

Weitere Produktangebote IPTG025N15NM6ATMA1 nach Preis ab 6.24 EUR bis 18.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptg025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
auf Bestellung 3221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+7.78 EUR
100+7.28 EUR
500+6.75 EUR
1000+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptg025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+7.78 EUR
100+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-iptg025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTG025N15NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 5623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.32 EUR
10+10.41 EUR
100+7.64 EUR
500+7.5 EUR
1000+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740e75a702d Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
auf Bestellung 7091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.57 EUR
10+10.58 EUR
50+8.45 EUR
100+7.76 EUR
500+7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 INFINEON 4406515.pdf Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.27 EUR
21+11.53 EUR
100+7.82 EUR
500+7.66 EUR
1000+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 INFINEON 4406515.pdf Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.27 EUR
21+11.53 EUR
100+7.82 EUR
500+7.66 EUR
1000+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 infineon-iptg025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPTG025N15NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
auf Bestellung 3221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+7.78 EUR
100+7.28 EUR
500+6.75 EUR
1000+6.24 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 infineon-iptg025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPTG025N15NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+7.78 EUR
100+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 infineon-iptg025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
IPTG025N15NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
auf Bestellung 10800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon_IPTG025N15NM6_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPTG025N15NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 5623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+15.32 EUR
10+10.41 EUR
100+7.64 EUR
500+7.5 EUR
1000+7.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 Infineon-IPTG025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740e75a702d
IPTG025N15NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
auf Bestellung 7091 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.57 EUR
10+10.58 EUR
50+8.45 EUR
100+7.76 EUR
500+7.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 4406515.pdf
IPTG025N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.27 EUR
21+11.53 EUR
100+7.82 EUR
500+7.66 EUR
1000+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG025N15NM6ATMA1 4406515.pdf
IPTG025N15NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+18.27 EUR
21+11.53 EUR
100+7.82 EUR
500+7.66 EUR
1000+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH