Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPTG029N13NM6ATMA1
IPTG029N13NM6ATMA1

IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+4.22 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 135V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 212A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 294W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.

Weitere Produktangebote IPTG029N13NM6ATMA1 nach Preis ab 4.86 EUR bis 14.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.58 EUR
10+7.77 EUR
50+6.13 EUR
100+5.59 EUR
500+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon_iptg029n13nm6_datasheet_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+7.81 EUR
100+5.97 EUR
1800+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 INFINEON 4334668.pdf Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.82 EUR
50+9.21 EUR
100+7.52 EUR
500+6.58 EUR
1000+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 INFINEON 4334668.pdf Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.82 EUR
50+9.21 EUR
100+7.52 EUR
500+6.58 EUR
1000+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6_Rev2.0_10-16-23.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 212A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 90A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 68 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.58 EUR
10+7.77 EUR
50+6.13 EUR
100+5.59 EUR
500+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 infineon_iptg029n13nm6_datasheet_en.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 1695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+11.65 EUR
10+7.81 EUR
100+5.97 EUR
1800+4.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 4334668.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.82 EUR
50+9.21 EUR
100+7.52 EUR
500+6.58 EUR
1000+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG029N13NM6ATMA1 4334668.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.82 EUR
50+9.21 EUR
100+7.52 EUR
500+6.58 EUR
1000+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH