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IPTG039N15NM5ATMA1

IPTG039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPTG039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8e3ae0a3f6a Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
auf Bestellung 3600 Stücke:

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Technische Details IPTG039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPTG039N15NM5_DataSheet_v02_01_EN-3362573.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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100+5.26 EUR
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IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPTG039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8e3ae0a3f6a Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
auf Bestellung 4593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+10.89 EUR
10+7.34 EUR
100+5.32 EUR
500+4.53 EUR
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IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 Hersteller : INFINEON 3811988.pdf Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 Hersteller : INFINEON 3811988.pdf Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 0.0035 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iptg039n15nm5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
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