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IPTG039N15NM5ATMA1

IPTG039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPTG039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8e3ae0a3f6a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1800+4.57 EUR
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Technische Details IPTG039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 319W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm.

Weitere Produktangebote IPTG039N15NM5ATMA1 nach Preis ab 5.27 EUR bis 14.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 INFINEON 3811988.pdf Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8e3ae0a3f6a Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
auf Bestellung 4249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.77 EUR
10+7.88 EUR
50+6.22 EUR
100+5.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPTG039N15NM5ATMA1 IPTG039N15NM5ATMA1 INFINEON 3811988.pdf Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.45 EUR
22+10.65 EUR
100+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IPTG039N15NM5ATMA1 3811988.pdf
IPTG039N15NM5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 319W
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Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+7.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPTG039N15NM5ATMA1 Infineon-IPTG039N15NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181d8e3ae0a3f6a
IPTG039N15NM5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
auf Bestellung 4249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+7.88 EUR
50+6.22 EUR
100+5.69 EUR
500+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG039N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3500 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 319W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
18+14.45 EUR
22+10.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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