IPTG063N15NM5ATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 10.25 EUR |
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Technische Details IPTG063N15NM5ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 122A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOG, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm.
Weitere Produktangebote IPTG063N15NM5ATMA1 nach Preis ab 4.9 EUR bis 12.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPTG063N15NM5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >100-150V |
auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPTG063N15NM5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 122A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOG Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 27 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPTG063N15NM5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.76 EUR |
| 10+ | 8.35 EUR |
| 100+ | 6.15 EUR |
| 500+ | 5.46 EUR |
| 1000+ | 4.9 EUR |
| IPTG063N15NM5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
Description: INFINEON - IPTG063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
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Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 27 Stücke:
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