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IPTG111N20NM3FDATMA1

Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
Produktcode: 200303
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
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IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 INFINEON 3328486.pdf Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 9000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 3335 Stücke:
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17+14.99 EUR
21+11.07 EUR
100+7.37 EUR
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IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 INFINEON 3328486.pdf Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 9000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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17+14.99 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 9000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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IPTG111N20NM3FDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 9000 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
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MOSFETs TRENCH >=100V
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