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IPTG111N20NM3FDATMA1


Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
Produktcode: 200303
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.74 EUR
10+8.65 EUR
100+6.34 EUR
500+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPTG111N20NM3FD_DataSheet_v02_00_EN-2329033.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.95 EUR
10+9.24 EUR
25+9.22 EUR
100+7.23 EUR
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IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
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IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon_IPTG111N20NM3FD_DataSheet_v02_00_EN-2329033.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3144 Stücke:
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1+12.95 EUR
10+9.24 EUR
25+9.22 EUR
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