Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPTG111N20NM3FDATMA1

IPTG111N20NM3FDATMA1

Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea
Produktcode: 200303
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPTG111N20NM3FDATMA1 nach Preis ab 5.58 EUR bis 12.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
auf Bestellung 12600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1800+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.74 EUR
10+8.65 EUR
100+6.34 EUR
500+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPTG111N20NM3FD_DataSheet_v02_00_EN-2329033.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+12.95 EUR
10+9.24 EUR
25+9.22 EUR
100+7.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 0.009 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: INFINEON - IPTG111N20NM3FDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 108 A, 0.009 ohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3335 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-iptg111n20nm3fd-datasheet-v02_00-en.pdf OptiMOS™ 3 power MOSFET in TOLG package for higher thermal cycling on board performance
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTG111N20NM3FDATMA1 IPTG111N20NM3FDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPTG111N20NM3FD-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177aa5221467dea Description: TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOG-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH