IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
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| Anzahl | Preis |
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| 868+ | 0.57 EUR |
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Technische Details IPU80R2K4P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPU80R2K4P7AKMA1 nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.51 EUR
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPU80R2K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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| IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU80R2K4P7 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPU80R2K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V |
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