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IPU80R900P7AKMA1

IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 307 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
54+1.34 EUR
65+1.11 EUR
98+0.74 EUR
103+0.70 EUR
150+0.69 EUR
1500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 54
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Technische Details IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPU80R900P7_DataSheet_v02_02_EN-3362640.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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2+1.90 EUR
10+1.57 EUR
25+0.84 EUR
100+0.82 EUR
250+0.81 EUR
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IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPU80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56a1e55e0153 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.99 EUR
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150+1.20 EUR
525+1.00 EUR
1050+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004584015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPU80R900P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1489 Stücke:
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IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipu80r900p7-datasheet-v02_02-en.pdf P7 Power Transistor
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IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipu80r900p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipu80r900p7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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