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IPU95R1K2P7AKMA1

IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies


Infineon_IPU95R1K2P7_DataSheet_v02_01_EN-3362933.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_NEW
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Technische Details IPU95R1K2P7AKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPU95R1K2P7AKMA1 IPU95R1K2P7AKMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0006116924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPU95R1K2P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 6 A, 1.03 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IPU95R1K2P7AKMA1 IPU95R1K2P7AKMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipu95r1k2p7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
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IPU95R1K2P7AKMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9 IPU95R1K2P7 THT N channel transistors
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IPU95R1K2P7AKMA1 IPU95R1K2P7AKMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPU95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b6dc4e756f9 Description: MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
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