IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 73W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 23nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 40+ | 1.79 EUR |
| 45+ | 1.62 EUR |
| 57+ | 1.26 EUR |
| 61+ | 1.19 EUR |
| 750+ | 1.16 EUR |
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Technische Details IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPU95R750P7AKMA1 nach Preis ab 1.19 EUR bis 4.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IPU95R750P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD Case: IPAK Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 73W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 23nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPU95R750P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 2274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPU95R750P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPU95R750P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 0.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 73W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPU95R750P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPU95R750P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 712 pF @ 400 V |
Produkt ist nicht verfügbar |