Weitere Produktangebote IPW60R037P7XKSA1 nach Preis ab 5.92 EUR bis 14.87 EUR
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V |
auf Bestellung 3495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 4350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 4350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |