IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
auf Bestellung 688 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 16.51 EUR |
| 30+ | 13.18 EUR |
| 120+ | 11.79 EUR |
| 510+ | 10.41 EUR |
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Technische Details IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPW60R037P7XKSA1 nach Preis ab 10.48 EUR bis 29.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Gate charge: 121nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 182 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R037P7XKSA1 Produktcode: 173232 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R037P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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