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IPW60R037P7XKSA1

Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7
Produktcode: 173232
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R037P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bb7bab83ca7 Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
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IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipw60r037p7_ds_en.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON 2371114.pdf Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 103 Stücke:
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12+19.42 EUR
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IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R037P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Version: ESD
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IPW60R037P7XKSA1 infineonipw60r037p7dsv0203en.pdf
IPW60R037P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R037P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R037P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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15+11.75 EUR
30+10.71 EUR
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IPW60R037P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R037P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R037P7XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
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MOSFETs HIGH POWER_NEW
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Hersteller: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TIPW60r037p7
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 255W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
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Case: PG-TO247-3
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Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 121nC
Version: ESD
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