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IPW60R041P6FKSA1

IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies

60ds_ipw60r041p6_2_0.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 77.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 481W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPW60R041P6_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM
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IPW60R041P6FKSA1 IPW60R041P6FKSA1 INFINEON INFNS30560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
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IPW60R041P6FKSA1 Infineon_IPW60R041P6_DS_v02_00_en.pdf
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IPW60R041P6FKSA1
Hersteller: INFINEON
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