IPW60R075CPFKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPW60R075CPFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPW60R075CPFKSA1 nach Preis ab 7.89 EUR bis 15.24 EUR
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP |
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IPW60R075CPFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 |
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