Weitere Produktangebote IPW60R099C6 nach Preis ab 4.68 EUR bis 17.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V |
auf Bestellung 656 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPW60R099C6 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 |
auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm |
auf Bestellung 610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IPW60R099C6 Produktcode: 186494 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R099C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 37.9A Power dissipation: 278W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |