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IPW60R099C6

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Produktcode: 88983
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.77 EUR
30+4.79 EUR
120+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.8 EUR
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120+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 Infineon Technologies IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.6 EUR
30+6.1 EUR
120+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPW60R099C6 IPW60R099C6 Infineon Technologies Infineon_IPW60R099C6_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.96 EUR
10+8.1 EUR
100+6.55 EUR
480+5.81 EUR
1200+5.14 EUR
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IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 Infineon info-tipw60r099c6.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 Infineon Technologies 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
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IPW60R099C6FKSA1 IPW60R099C6FKSA1 INFINEON INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 268 Stücke:
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IPW60R099C6FKSA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPW60R099C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 560 Stücke:
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26+5.77 EUR
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IPW60R099C6FKSA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
IPW60R099C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R099C6FKSA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
IPW60R099C6FKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V
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IPW60R099C6 Infineon_IPW60R099C6_DS_v02_03_EN.pdf
IPW60R099C6
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+10.96 EUR
10+8.1 EUR
100+6.55 EUR
480+5.81 EUR
1200+5.14 EUR
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IPW60R099C6FKSA1 info-tipw60r099c6.pdf
IPW60R099C6FKSA1
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
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IPW60R099C6FKSA1 2392333345376210infineon-ipa60r099c6-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a30432313ff5e012394.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW60R099C6FKSA1 INFN-S-A0004583373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPW60R099C6FKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 268 Stücke:
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