IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 44+ | 3.55 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPW60R190E6FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS E6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPW60R190E6FKSA1 nach Preis ab 3.32 EUR bis 7.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS E6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||
 |
IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
IPW60R190E6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |