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IPW60R299CPFKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details IPW60R299CPFKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ CP, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 98W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.299Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DC1E9E42B1BF&compId=IPW60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=8119d6d1da96d49cea4c2f247bd22ecf791abcfd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPW60R299CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c74ff4703 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
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IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
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IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IPW60R299CP_rev2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c74ff4703 INFNS16494-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET LOW POWER_LEGACY
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IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DC1E9E42B1BF&compId=IPW60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=8119d6d1da96d49cea4c2f247bd22ecf791abcfd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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