IPW60R299CPFKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Technische Details IPW60R299CPFKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ CP, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 11A, Power dissipation: 98W, Case: PG-TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.299Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote IPW60R299CPFKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPW60R299CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 |
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IPW60R299CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 |
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IPW60R299CPFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_LEGACY |
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IPW60R299CPFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 98W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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