Technische Details IPW65R018CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 106A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPW65R018CFD7XKSA1 nach Preis ab 17.39 EUR bis 38.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R018CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R018CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 26.95 EUR |
| 8+ | 21.43 EUR |
| 10+ | 19.62 EUR |
| 50+ | 17.39 EUR |
| IPW65R018CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 28.17 EUR |
| 10+ | 27.55 EUR |
| IPW65R018CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 28.3 EUR |
| 10+ | 27.07 EUR |
| IPW65R018CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 32.65 EUR |
| 30+ | 20.24 EUR |
| 120+ | 17.52 EUR |
| IPW65R018CFD7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 37.03 EUR |
| 10+ | 33.87 EUR |
| IPW65R018CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 38.53 EUR |
| 10+ | 25.91 EUR |
| 100+ | 22.47 EUR |
| 480+ | 19.96 EUR |
| 1200+ | 19.06 EUR |