IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.
Weitere Produktangebote IPW65R041CFD7XKSA1 nach Preis ab 8.08 EUR bis 24.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 84720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R041CFD7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R041CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 92 Stücke:
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| IPW65R041CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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auf Bestellung 84720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 240+ | 11.39 EUR |
| 480+ | 11.21 EUR |
| 720+ | 10.42 EUR |
| 42240+ | 9.4 EUR |
| 63360+ | 8.65 EUR |
| 84480+ | 8.08 EUR |
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 15.14 EUR |
| 13+ | 13.51 EUR |
| 50+ | 8.9 EUR |
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 19.6 EUR |
| 30+ | 11.61 EUR |
| 60+ | 10.66 EUR |
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 198 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.68 EUR |
| 10+ | 10.72 EUR |
| 100+ | 9.92 EUR |
| 480+ | 9.87 EUR |
| IPW65R041CFD7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 24.19 EUR |
| 13+ | 17.98 EUR |
| 18+ | 12.45 EUR |
| 50+ | 11.3 EUR |
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