IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies
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Technische Details IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPW65R041CFDFKSA2 nach Preis ab 8.29 EUR bis 18.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
650V CMOS power transistor |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R041CFDFKSA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 68.5A; 500W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 68.5A Power dissipation: 500W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R041CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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