IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 17.57 EUR |
| 30+ | 10.02 EUR |
| 120+ | 8.73 EUR |
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Technische Details IPW65R041CFDFKSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPW65R041CFDFKSA2 nach Preis ab 8.48 EUR bis 18.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R041CFDFKSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon |
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auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 17.72 EUR |
| 30+ | 10.67 EUR |
| 120+ | 9.12 EUR |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 17.73 EUR |
| 30+ | 9.89 EUR |
| 120+ | 8.48 EUR |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 18.32 EUR |
| 25+ | 10.7 EUR |
| 100+ | 9.54 EUR |
| 480+ | 9.43 EUR |
| IPW65R041CFDFKSA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPW65R041CFDFKSA2 |
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)