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IPW65R060CM8XKSA1

IPW65R060CM8XKSA1 Infineon Technologies

infineonipw65r060cm8datasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IPW65R060CM8XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R060CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPW65R060CM8XKSA1 IPW65R060CM8XKSA1 Infineon Technologies infineonipw65r060cm8datasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW65R060CM8XKSA1 IPW65R060CM8XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R060CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d9c55260d5 Description: IPW65R060CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2462 pF @ 400 V
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30+8.29 EUR
60+7.57 EUR
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IPW65R060CM8XKSA1 IPW65R060CM8XKSA1 Infineon Technologies infineon_ipw65r060cm8_datasheet_en.pdf MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
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10+7.63 EUR
100+7.02 EUR
480+7 EUR
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IPW65R060CM8XKSA1 IPW65R060CM8XKSA1 INFINEON Infineon-IPW65R060CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d9c55260d5 Description: INFINEON - IPW65R060CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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100+7.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPW65R060CM8XKSA1
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IPW65R060CM8XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPW65R060CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2462 pF @ 400 V
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IPW65R060CM8XKSA1
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Description: INFINEON - IPW65R060CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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15+17.77 EUR
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