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IPW65R080CFDAFKSA1

IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon Technologies

ds_ipw65r080cfda_2_1.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Technische Details IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 391W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

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IPW65R080CFDAFKSA1 IPW65R080CFDAFKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ipw65r080cfda_2_1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO247-3
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
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Qualification: AEC-Q101
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