IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IPW65R080CFDFKSA2 INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPW65R080CFDFKSA2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPW65R080CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW65R080CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW65R080CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW65R080CFDFKSA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
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