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IPW65R155CFD7XKSA1

IPW65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPW65R155CFD7_DataSheet_v02_00_EN-1957303.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
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Technische Details IPW65R155CFD7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPW65R155CFD7XKSA1 IPW65R155CFD7XKSA1 Hersteller : INFINEON 3189142.pdf Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IPW65R155CFD7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipw65r155cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf SP005413375
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IPW65R155CFD7XKSA1 IPW65R155CFD7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipw65r155cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW65R155CFD7XKSA1 IPW65R155CFD7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipw65r155cfd7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IPW65R155CFD7XKSA1 IPW65R155CFD7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPW65R155CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758ef402bf49c7 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
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