IPW80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO247-3; ESD
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 101W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.28Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 18+ | 3.99 EUR |
| 19+ | 3.79 EUR |
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Technische Details IPW80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 101W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPW80R280P7XKSA1 nach Preis ab 2.18 EUR bis 6.46 EUR
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Preis | ||||||||
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IPW80R280P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO247-3; ESD Mounting: THT Case: PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Version: ESD Kind of channel: enhancement Drain current: 10.6A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 101W Technology: CoolMOS™ P7 Drain-source voltage: 800V Gate charge: 36nC Polarisation: unipolar Kind of package: tube On-state resistance: 0.28Ω |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW80R280P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW80R280P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 500 V |
auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW80R280P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW80R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW80R280P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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