IPW80R360P7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.81 EUR |
| 30+ | 3.17 EUR |
| 120+ | 2.58 EUR |
| 510+ | 2.16 EUR |
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Technische Details IPW80R360P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPW80R360P7XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPW80R360P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 84W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW80R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW80R360P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; 84W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.6A Power dissipation: 84W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |