
IPW80R360P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3+ | 6.21 EUR |
30+ | 3.40 EUR |
120+ | 2.78 EUR |
510+ | 2.33 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPW80R360P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 84W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPW80R360P7XKSA1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPW80R360P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 84W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
![]() |
IPW80R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
IPW80R360P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
![]() |
IPW80R360P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |