IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V
auf Bestellung 349 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 21.81 EUR |
| 30+ | 13.22 EUR |
| 120+ | 11.34 EUR |
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Technische Details IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPW95R060PFD7XKSA1 nach Preis ab 15.79 EUR bis 25.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPW95R060PFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW95R060PFD7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 74.7A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW95R060PFD7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 950V 74.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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