| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.07 EUR |
| 10+ | 21.97 EUR |
| 25+ | 12.71 EUR |
| 100+ | 11.71 EUR |
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Technische Details IPW95R060PFD7XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, Dauer-Drainstrom Id: 74.7A, hazardous: true, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPW95R060PFD7XKSA1 nach Preis ab 16.54 EUR bis 31.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPW95R060PFD7XKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 74.7A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW95R060PFD7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V |
auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW95R060PFD7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 74.7A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
Dauer-Drainstrom Id: 74.7A
hazardous: true
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 156 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 29.81 EUR |
| 10+ | 25.16 EUR |
| 11+ | 20.86 EUR |
| 50+ | 19.71 EUR |
| 100+ | 17.97 EUR |
| IPW95R060PFD7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 31.58 EUR |
| 30+ | 19.24 EUR |
| 120+ | 16.54 EUR |