IPZ40N04S5L-2R8 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.86 EUR |
| 250+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.64 EUR |
| 1000+ | 1.56 EUR |
| 2500+ | 1.49 EUR |
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Technische Details IPZ40N04S5L-2R8 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 40A, Power dissipation: 71W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 3.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 52nC, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote IPZ40N04S5L-2R8
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPZ40N04S5L-2R8 | Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPZ40N04S5L-2R8 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPZ40N04S5L-2R8 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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| IPZ40N04S5L-2R8 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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