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IPZ40N04S5L-7R4 Infineon Technologies


Hersteller: Infineon Technologies
IPZ40N04S5L-7R4
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Technische Details IPZ40N04S5L-7R4 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 40A, Power dissipation: 34W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 10.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 17nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 5, Application: automotive industry.

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IPZ40N04S5L-7R4 IPZ40N04S5L-7R4 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPZ40N04S5L_7R4_DS_v01_01_EN-1732026.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IPZ40N04S5L-7R4 IPZ40N04S5L-7R4 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8F50F7EDE74A&compId=IPZ40N04S5L-7R4.pdf?ci_sign=38c31f7871204bf2af0450c5372a4ea55b9e53b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 34W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Application: automotive industry
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