auf Bestellung 4927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 135+ | 1.09 EUR |
| 250+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
| 2500+ | 0.81 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPZ40N04S5L-7R4 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 40A, Power dissipation: 34W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 10.7mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 17nC, Kind of channel: enhancement, Technology: OptiMOS™ 5, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote IPZ40N04S5L-7R4
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
IPZ40N04S5L-7R4 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(20V 40V) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
IPZ40N04S5L-7R4 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 34W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Application: automotive industry |
Produkt ist nicht verfügbar |


