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IPZ65R045C7XKSA1

IPZ65R045C7XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IPZ65R045C7_DS_v02_00_en-1731985.pdf Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
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Technische Details IPZ65R045C7XKSA1 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ C7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 46A, Power dissipation: 227W, Case: PG-TO247-4, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 45mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPZ65R045C7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPZ65R045C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPZ65R045C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies DS_IPZ65R045C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e5a5024013e6a50664963da Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
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IPZ65R045C7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPZ65R045C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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