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IPZ65R045C7XKSA1

IPZ65R045C7XKSA1 Infineon Technologies

ds_ipz65r045c7_2_0.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IPZ65R045C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA, Supplier Device Package: PG-TO247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V.

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IPZ65R045C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ipz65r045c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V
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IPZ65R045C7XKSA1 IPZ65R045C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies ds_ipz65r045c7_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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