| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 35.58 EUR |
| 10+ | 32.69 EUR |
| 100+ | 27.62 EUR |
| 480+ | 24.09 EUR |
| 1200+ | 23.9 EUR |
| 2640+ | 23.5 EUR |
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Technische Details IPZA60R024P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 291W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPZA60R024P7XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPZA60R024P7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: - Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): - Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPZA60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPZA60R024P7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
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| IPZA60R024P7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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| IPZA60R024P7XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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