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IPZA60R080P7XKSA1

IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ipza60r080p7-ds-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IPZA60R080P7XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 129W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipza60r080p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPZA60R080P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160317dacc86525 Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V
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3+8.75 EUR
30+5.19 EUR
120+4.69 EUR
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IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPZA60R080P7_DS_v02_01_EN-3362673.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
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25+7.87 EUR
100+6.76 EUR
240+6.74 EUR
480+5.14 EUR
1200+4.82 EUR
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IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Hersteller : INFINEON 2609447.pdf Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipza60r080p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipza60r080p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
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