IPZA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.08 EUR |
| 30+ | 3.65 EUR |
| 120+ | 3.53 EUR |
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Technische Details IPZA60R099P7XKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 117W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote IPZA60R099P7XKSA1 nach Preis ab 4.8 EUR bis 9.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPZA60R099P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 129-133 Tag (e) |
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IPZA60R099P7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 31 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 117 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 117 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPZA60R099P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPZA60R099P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IPZA60R099P7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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